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清朝八王之乱是哪八王,西晋八王之乱是哪八王

清朝八王之乱是哪八王,西晋八王之乱是哪八王 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看(kàn)一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查(chá)发现(xiàn),美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险,影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵清朝八王之乱是哪八王,西晋八王之乱是哪八王(zūn)守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)清朝八王之乱是哪八王,西晋八王之乱是哪八王网络安全风险,维(wéi)护国家(jiā)安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》,网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降,至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)(薄膜沉(chén)积)等相关(guān)公司份额(é)提升,以及存储业务占比较高(gāo)清朝八王之乱是哪八王,西晋八王之乱是哪八王的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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