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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōn嘉峪关诗句最出名的句子，嘉峪关诗句名句赞美g)华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，嘉峪关诗句最出名的句子，嘉峪关诗句名句赞美占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份嘉峪关诗句最出名的句子，嘉峪关诗句名句赞美额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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