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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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