大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介='color: #ff0000; line-height: 24px;'>杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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