大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。女生拉黑就是极度讨厌吗，拉黑多久不联系就是彻底结束g>为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江女生拉黑就是极度讨厌吗，拉黑多久不联系就是彻底结束波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。