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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuá分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗n)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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