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不可名状的意思解释一下,不可名状 的意思

不可名状的意思解释一下,不可名状 的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日(rì)前,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发(fā)现,不可名状的意思解释一下,不可名状 的意思ong>美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规,我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全,是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放,只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全,防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出(chū)手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示,江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势,公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì),或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75%。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单,设备(bèi)国产化(huà)进程加速,看(kàn)好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng),以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的不可名状的意思解释一下,不可名状 的意思(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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