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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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