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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(m反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数ěi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(ni反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数án)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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