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　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家三大球和三小球分别是什么 三大球的起源(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提三大球和三小球分别是什么 三大球的起源升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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