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5公里是多少米 5公里是多少步 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)5公里是多少米 5公里是多少步司产品。

  此次5公里是多少米 5公里是多少步对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查,目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán),是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎(yíng)各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全,防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险,维护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势,公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自(zì)长江存储被5公里是多少米 5公里是多少步加(jiā)入美国(guó)限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公司(sī)份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)(清(qīng)洗)等收(shōu)入增(zēng)长。

 

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