大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？ 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪压线扣几分罚款多少的，压线扣多少分？存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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