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美国为什么打伊拉克,伊拉克现在归美国管吗

美国为什么打伊拉克,伊拉克现在归美国管吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

  据网信办消息(xī),日前(qián),网(wǎ美国为什么打伊拉克,伊拉克现在归美国管吗ng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规,我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查,目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全,是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng),为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性,巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

  有券商(shāng)此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士,国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子美国为什么打伊拉克,伊拉克现在归美国管吗披露(lù),薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升(shēng),以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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