大家(jiā)好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光公这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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