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　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(q发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉ián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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