大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

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　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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