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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场180kg等于多少斤 180kg等于多少磅份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(q180kg等于多少斤 180kg等于多少磅uàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等180kg等于多少斤 180kg等于多少磅竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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