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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān436742开头是什么银行 归属地，436742开头是什么银行的卡)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)436742开头是什么银行 归属地，436742开头是什么银行的卡子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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