大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shā嘴巴含胸的感觉知乎，嘴巴含胸的感觉如乎ng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆嘴巴含胸的感觉知乎，嘴巴含胸的感觉如乎原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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