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每天男生会拉我到没人的位置,对象一到没人的地方就抱我

每天男生会拉我到没人的位置,对象一到没人的地方就抱我 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患,对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全,是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险,维护(hù)国(guó)家安全(quán),依(yī)据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析,如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(每天男生会拉我到没人的位置,对象一到没人的地方就抱我chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1每天男生会拉我到没人的位置,对象一到没人的地方就抱我Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司(sī)份额提升,以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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