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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家总监和经理哪个大安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对(总监和经理哪个大duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％总监和经理哪个大。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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