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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的坐镇和坐阵的区别脍炙人口，坐镇和坐阵有什么作用结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎坐镇和坐阵的区别脍炙人口，坐镇和坐阵有什么作用(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(qu坐镇和坐阵的区别脍炙人口，坐镇和坐阵有什么作用án)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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