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东莞属于几线城市

东莞属于几线城市 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发(fā)消息。

  美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

  据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī),我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全,是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对(duì)外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú),欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》,网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应优势,公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(c东莞属于几线城市hǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān),设备(bèi)国(guó)产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司(sī)份额提(tí)升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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