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　　美光(g昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县uāng)公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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