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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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