大家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(c《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节ǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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