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　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我1mol等于多少克怎么算，0.1mol等于多少克国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中1mol等于多少克怎么算，0.1mol等于多少克国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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