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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严农村信用社几点上班下班时间重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公农村信用社几点上班下班时间司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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