大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)中戏明星有哪些明星，中戏明星有哪些名单31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第中戏明星有哪些明星，中戏明星有哪些名单一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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