大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网观摩和观看的区别和联系，观摩和观看的区别在哪x;'>观摩和观看的区别和联系，观摩和观看的区别在哪络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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