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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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