大家好，来(lái)看(kàn)一则(zé)鱼目混珠这个故事，鱼目混珠的典故突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基鱼目混珠这个故事，鱼目混珠的典故础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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