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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的冀g是河北哪里的车牌结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规冀g是河北哪里的车牌要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(pià冀g是河北哪里的车牌n)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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