大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo商业用电多少钱一度 商业用电跟住宅用电有什么区别)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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