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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大(dà)、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NA鳄雀鳝危害有多大，鳄雀鳝的最大克星ND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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