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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发一寸多少厘米公分 一寸是几个手指现，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降一寸多少厘米公分 一寸是几个手指: 24px;'>一寸多少厘米公分 一寸是几个手指(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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