大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收马云看未来商铺的前景入来自(zì)中国市场收入从此前高马云看未来商铺的前景峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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