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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清一公里大概多少步 一公里大概要走几分钟洗）等收入增长。

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