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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安外国保质期日期是什么顺序 mfd是生产日期吗全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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