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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程降，至少已(yǐ)经不是主要(yào81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程cún)储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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