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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷-height: 24px;'>冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同(tó冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷ng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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