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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎ1什么意思网络用语女生，211什么意思网络用语ng)络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)1什么意思网络用语女生，211什么意思网络用语全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shò1什么意思网络用语女生，211什么意思网络用语u)到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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