大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(吸潮是什么意思，弄瓦之喜什么意思jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　<吸潮是什么意思，弄瓦之喜什么意思/p>

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品吸潮是什么意思，弄瓦之喜什么意思>

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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