大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要(yào)压缩面膜蚕丝和纯棉的哪个好用，压缩面膜哪个牌子好用措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(p压缩面膜蚕丝和纯棉的哪个好用，压缩面膜哪个牌子好用íng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购压缩面膜蚕丝和纯棉的哪个好用，压缩面膜哪个牌子好用国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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