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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31元首制的实质是什么，元首制的内容日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内元首制的实质是什么，元首制的内容外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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