大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全campus是什么意思 campus是国誉吗审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎcampus是什么意思 campus是国誉吗ng)络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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