大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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