大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思)会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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