大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办(b老师上课说脏话犯法吗，老师上课骂脏话违法吗àn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市老师上课说脏话犯法吗，老师上课骂脏话违法吗场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì老师上课说脏话犯法吗，老师上课骂脏话违法吗)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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