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　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成科兴是美国的还是中国的网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经科兴是美国的还是中国的进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的科兴是美国的还是中国的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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